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电导率σi和电子导电的电导率σe之比σi/σe≥0.01。

具有至少一层其至少部分所述导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电层的导电辊包括整个导电辊都由离子导电性聚合物赋予导电性的导电性橡胶组合物构成的导电辊以及由不同组成的多层构成的导电辊，而由不同组成的多层构成的导电辊中的至少一层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成，其他层则由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成。纳米、（nm）纳米技术、纳米材料是当代科技领域中的热门名词，已经成为现实和潜在的巨大的应用前景的纳米银线，已在山东、浙江、北京等地进入人们的视野，并进入国际市场，如果按照银的当前价7元/克计算的话，纳米银线的价格将是银价的350倍以上。

而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！当含有氯原子的橡胶组分与离子导电的单体聚合时，导电辊具有较高的表面自由能并且容易弄湿。导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。

为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。王水***溶液的浓缩赶硝故名思议是两段工序，浓缩的目的是将溶液中可在沸腾下挥发的酸和水尽量挥发彻底，以便适合赶硝的药剂和浓度尽量高的无水硝基物或残余快速反应，以达到彻底赶硝的目的。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。

区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。回收涉及从金属材料中分离***，其中一些材料可能包括催化剂，如电子组件或印刷电路板。

金属靶材材质分为：

镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。此外，硫化处理后，由于对每个辊筒都进行了剪切，所以基本上不会出现上述差别，这样就可缓解长度方向的电阻值的不均匀。