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半导电胶辊通常用在复印机、电子传真装置等办公设备中。如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发，预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜，这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。半导电胶辊属于半导电元件，且电阻值受环境影响较大，对产品的导电性要求极其严格，因为打印的全过程是碳粉通过电场的压力来实施，所以轻微的电性误差将导致在打印过程中文字和图片深浅不一的现象。因此需精密的量测，故要求有一套高精密的量测系统来支持，方能达到产品的设计要求。

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列不可替代的优良性能。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

工业上大量使用的是工业纯稀土金属，较高纯度的稀土金属主要供测定物理化学性能之用。磁控溅射镀膜是一种新型的物相镀膜方式,就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。主要有四种提纯方法在试验室中使用，即真空熔融，真空蒸馏或升华，电迁移和区域熔炼。 稀土金属棒在区域熔炼炉中以很慢的速度（如提纯钇时为0.4毫米/分），进行多次区熔，对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有明显效果，但对氧、氮、碳、氢无效。此外，电解精炼、区熔－电迁移联合法提纯稀土也有一定效果。